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D45VH10G 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-8A
集电极电流（I_C）：-15A
总耗散功率（P_C）：83W @ T_C=25℃
快速开关速度
直流电流增益 h_FE：35（Min）@ I_C=-2A，V_CE=-1V
与 D44VH10 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.5℃/W
封装：TO-220

D45VH10G 是一款硅 PNP 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降与快速开关特性，适用于开关稳压器、变换器与功率放大等通用功率放大与开关应用的输出级或驱动级，与 D44VH10 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-100	-80	-7	-15	-1.0	35	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	83	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA，I_C=0	-7	--	V
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0	-80	--	V
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA，I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-80V，I_B=0	--	1	mA
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CE=-100V，I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V，I_C=0	--	-10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A，I_B=-0.8A	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-8A，I_B=-0.8A	--	-1.2	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-2A，V_CE=-1V	35	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-4A，V_CE=-1V	20	--	--

应用

功率放大通用功率放大（Power Amplification）输出级或驱动级。
开关应用开关稳压器（Switching Regulator）、变换器（Converter）等开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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