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D44VH10G 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=8A
集电极电流（I_C）：15A
总耗散功率（P_C）：83W @ T_C=25℃
快速开关速度
直流电流增益 h_FE：35（Min）@ I_C=2A，V_CE=1V
与 D45VH10 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.5℃/W
封装：TO-220

D44VH10G 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降与快速开关特性，适用于开关稳压器、变换器与功率放大等通用功率放大与开关应用的输出级或驱动级，与 D45VH10 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	100	80	7	15	0.4	35	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	83	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA，I_C=0	7	--	V
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0	80	--	V
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA，I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=80V，I_B=0	--	1	mA
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CE=100V，I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V，I_C=0	--	10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=0.4A	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=0.8A	--	1.2	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A，V_CE=1V	35	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A，V_CE=1V	20	--	--

应用

功率放大通用功率放大（Power Amplification）输出级或驱动级。
开关应用开关稳压器（Switching Regulator）、变换器（Converter）等开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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