当前位置：首页 / 产品 / 可控硅单管

CLA60MT1200NHR 国产替代Triac

Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

工频（50/60Hz）用双向可控硅
三象限工作（Q_I - Q_III）
重复峰值关断/反向电压（V_DRM / V_RMM）：1200V
平均通态电流（I_T(AV)）：30A @ T_C=100℃
浪涌电流（I_TSM）：380A（t=10ms，50Hz 正弦）
阻断电流与阻断电压长期稳定性好
门极触发电流（I_GT）：60mA（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）
封装：ISO247

CLA60MT1200NHR 是一款工频双向可控硅，采用 ISO247 封装，具有 1200V 阻断电压与 30A 平均通态电流能力，三象限工作、阻断特性长期稳定，适用于 50/60Hz 工频整流、功率变换与交流功率控制等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	I_T(AV) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	Structure
ISO247	Triac	1200	30	380	60	1.7	60	Silicon Triac

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	1200	V
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
I_T(AV)	平均通态电流 @ T_C=100℃	30	A
I_RSM	RMS 通态电流（每相 180° 正弦）	66	A
I_TSM	最大正向浪涌电流（t=10ms；50Hz 正弦）	380	A
I²t	熔断 I²t（t_p=8.3ms）	700	A²s
P_G(AV)	平均门极耗散功率	0.5	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.1	℃/W
R_th(c-h)	壳-散热器热阻	0.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM	--	10	µA
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_j=125℃	--	2.0	mA
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM	--	10	µA
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM；T_j=125℃	--	2.0	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ 象限）	V_D=6V；R_L=33Ω	--	60	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅱ 象限）	V_D=6V；R_L=33Ω	--	60	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅲ 象限）	V_D=6V；R_L=33Ω	--	60	mA
I_H	维持电流	V_D=6V；门极开路	--	60	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=6V；R_L=33Ω	--	1.7	V
V_TM	通态压降	I_T=30A	--	1.28	V
V_TM	通态压降	I_T=60A	--	1.56	V

应用

工频整流线频率整流（Line rectifying 50/60Hz）应用。
功率变换功率变换器（Power converter）应用。
交流功率控制交流功率控制（AC power control）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号