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BYW80-200 国产替代Ultrafast Rectifier Diode

Ultrafast Rectifier Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

峰值反向电压（V_RRM）：200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：10A @ δ=0.5，T_C≤95℃
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：100A @ t_p=10ms
低正向压降：V_F=1.15V（Max）@ I_F=15A，T_J=25℃
低正向压降：V_F=1.05V（Max）@ I_F=15A，T_J=125℃
反向恢复时间（t_rr）：35ns
低通态损耗、软恢复特性、热阻低
封装：TO-220AC

BYW80-200 是一款 10A / 200V 超快恢复整流二极管，采用 TO-220AC 封装，具有低正向压降、35ns 反向恢复时间与软恢复特性，适用于开关电源（SMPS）与交错拓扑功率因数校正（PFC）等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_j (℃)	Structure
TO-220AC	Single	200	10	100	1.15	35	150	Silicon Ultrafast

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	峰值反向电压	200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（δ=0.5；T_C≤95℃）	10	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（t_p=10ms，正弦波）	100	A
T_J	最大结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=15A；T_J=25℃	--	1.15	V
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=15A；T_J=125℃	--	1.05	V
I_R	最大反向瞬时电流	额定直流电压；T_J=25℃	--	10	µA
I_R	最大反向瞬时电流	额定直流电压；T_J=100℃	--	1	mA
t_rr	反向恢复时间	I_F=1A；V_R=30V；dI_F/dt=-50A/µs；T_J=25℃	--	35	ns

应用

开关电源开关模式电源（Switched mode power supplies）应用。
功率因数校正交错拓扑功率因数校正（Power Factor Correction for interleaved topology）应用。
续流与极性保护高频逆变、续流与极性保护应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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