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BYR5D-1200P 国产替代Ultrafast Rectifier Diode

Ultrafast Rectifier Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：1200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：5A
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：60A
正向压降：V_F=2.2V（Max）@ I_F=5A，T_j=25℃
最大反向恢复时间（t_rr）：80ns
快恢复、软恢复特性，漏电流低
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W
封装：TO-252（DPAK）

BYR5D-1200P 是一款高效率铂扩散平面型超快恢复整流二极管，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有 1200V 阻断电压、软恢复特性与低漏电流，适用于高分辨率显示器水平偏转电路的阻尼二极管，以及 PFC、逆变器与开关电源的续流二极管，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_J (℃)	Structure
TO-252 (DPAK)	Single	1200	5	60	2.2	175	Silicon Ultrafast

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
V_RWM	工作峰值反向电压	1200	V
V_R	直流阻断电压	1200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流	5	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（半波单相 60Hz，额定负载）	60	A
T_J	结温	-65 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 ≤1%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=5.0A；T_j=25℃	--	2.2	V
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=V_RWM；T_j=150℃	--	500	µA
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=V_RWM	--	50	µA
t_rr	最大反向恢复时间	I_F=1A；di/dt=50A/µs	--	80	ns

应用

显示器水平偏转阻尼高分辨率显示器水平偏转电路的阻尼二极管。
功率因数校正功率因数校正（PFC）电路。
逆变器逆变器（Inverters）应用。
开关电源续流开关电源与电机驱动的续流二极管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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