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BYC8-1200P 国产替代Hyperfast Power Diode

Hyperfast Power Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：1200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：8A（δ=0.5，T_C≤120℃）
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：100A（t_p=10ms 正弦波）
正向电压（V_F）：3.2V（Max）@ I_F=8A、T_J=25℃；典型 2.2V @ T_J=150℃
反向恢复时间（t_rr）：55ns（Max）
最高结温（T_J）：175℃
开关损耗低、漏电流小、超快恢复
封装：TO-220C

BYC8-1200P 是一款 1200V / 8A 的超快恢复功率二极管，采用 TO-220C 封装，开关损耗低、漏电流小、恢复时间超快，适用于开关电源、功率因数校正（PFC）二极管与不间断电源（UPS）。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_J (℃)	Structure
TO-220C	Single	1200	8	100	3.2	55	175	Silicon

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（δ=0.5，T_C≤120℃）	8	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（t_p=10ms 正弦波）	100	A
T_J	最高结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向电压	I_F=8A；T_J=25℃	--	3.2	V
V_F	瞬时正向电压（典型值）	I_F=8A；T_J=150℃	2.2	--	V
I_R	最大瞬时反向电流	额定直流电压；T_J=25℃	--	100	µA
I_R	最大瞬时反向电流	额定直流电压；T_J=150℃	--	0.5	mA
t_rr	反向恢复时间	I_F=1A；dI_F/dt=100A/µs；V_R=30V；T_J=25℃	--	55	ns

应用

开关电源开关模式电源（SMPS）整流与续流。
功率因数校正PFC 电路的升压二极管。
不间断电源UPS 的整流与逆变侧应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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