N-Channel Power MOSFET（SIPMOS） ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BUZ31 是英飞凌（原西门子 SIPMOS）N 沟道增强型功率 MOSFET，200V / 14.5A / 95W，低导通电阻并保证雪崩耐量，采用 TO-220 封装，适用于通用开关、开关电源、电机驱动等应用。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | PD (W) | RDS(on) (Ω) | VGS(th) (V) | TJ (℃) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-N | 200 | ±20 | 14.5 | 95 | 0.2 | 2.1 ~ 4 | -55 ~ 150 | N-channel |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | V |
| ID | 连续漏极电流 @ TC=25℃ | 14.5 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流 | 58 | A |
| PD | 耗散功率 @ TC=25℃ | 95 | W |
| Tj | 工作结温范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.32 | K/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0；ID=250µA | 200 | -- | V |
| RDS(on) | 静态导通电阻 | VGS=10V；ID=9A | -- | 0.2 | Ω |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=1mA | 2.1 | 4 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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