Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BUY49P 是一款 200V / 3A / 15W 的硅 NPN 功率三极管，采用 TO-126 封装，具有高集电极-发射极维持电压与大电流能力，设计用于大电流开关应用。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | PC (W) | VCE(sat) (V) | hFE | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-126 | Single-N | 250 | 200 | 6 | 3 | 15 | 0.2 | 30 / 40 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 250 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 200 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 6 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 3.0 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | 5.0 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 15 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 8.33 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=20mA；IB=0 | 200 | -- | V |
| V(BR)CBO | 集电极-基极击穿电压 | IC=0.1mA；IE=0 | 250 | -- | V |
| V(BR)EBO | 发射极-基极击穿电压 | IE=1mA；IC=0 | 6 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=500mA；IB=50mA | -- | 0.2 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=500mA；IB=50mA | -- | 1.1 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=200V；IE=0 | -- | 0.1 | µA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=20mA；VCE=2V | 30 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=20mA；VCE=5V | 40 | -- | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=0.5mA；VCE=5V | 40 | -- | -- |
| fT | 特征频率 | IC=100mA；VCE=10V | 30 | -- | MHz |
| Cob | 输出电容 | IE=0；VCB=10V；f=1MHz | -- | 50 | pF |
| ton | 开启时间 | IC=0.5A；IB1=-IB2=50mA；VCC=20V | -- | 0.8 | µs |
| toff | 关断时间 | IC=0.5A；IB1=-IB2=50mA；VCC=20V | -- | 2.5 | µs |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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