当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BUX98A 国产替代High Power NPN Transistor

High Power NPN Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（R_BE≤10Ω / V_BE=0）：1000V
集电极-发射极电压（V_CEO）：450V
集电极电流（I_C）：30A（峰值 60A / 非重复 80A）
总耗散功率（P_tot）：250W @ T_C=25℃
高耐压、大电流、快速开关多外延台面工艺
封装：TO-3

BUX98A 是一款 1000V（V_CER/V_CES）/450V（V_CEO）/30A NPN 多外延台面大功率三极管，TO-3 金属封装，适合单相与三相市电供电的工业应用，包括高频高效变换器以及工业线性与开关设备，为 ST 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CER/V_CES (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_tot (W)	T_j (℃)
TO-3	1000	450	30	250	200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CER	集电极-发射极电压（R_BE≤10Ω）	1000	V
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	30	A
I_CM	集电极峰值电流（t_p≤5ms）	60	A
I_CP	集电极峰值电流（非重复，t_p≤20µs）	80	A
I_B	基极电流	8	A
I_BM	基极峰值电流（t_p≤5ms）	30	A
P_tot	总耗散功率（T_C=25℃）	250	W
T_j	最高工作结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=200mA；I_B=0	450	--	V
V_CER(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=1A；R_BE=10Ω；L=2mH	1000	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=16A；I_B=3.2A	--	1.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=24A；I_B=5A	--	5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=16A；I_B=3.2A	--	1.6	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1000V；V_BE=0	--	400	µA
I_CEX	集电极截止电流	V_CE=1000V；T_C=125℃	--	4	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2	mA
t_on	开通时间	I_C=16A；I_B(on)=-I_B(off)=3.2A	--	1	µs
t_S	存储时间	I_C=16A；V_CC=150V	--	3	µs
t_f	下降时间	I_C=16A；V_CC=150V	--	0.8	µs

应用

高频高效变换器高频高效变换器（High frequency and efficiency converters）。
工业线性设备工业线性设备（Linear industrial equipment）。
工业开关设备工业开关设备（Switching industrial equipment）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号