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BUX85 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：450V
集电极-发射极峰值电压 V_CES：1000V
集电极电流 I_C：2.0A（峰值 I_CM=3.0A）
集电极耗散功率 P_C：40W @ T_C=25℃
饱和压降 V_CE(sat)：1.0V（Max）@ I_C=1.0A
高压高速开关，玻璃钝化工艺
封装：TO-220

BUX85 是一款 450V/2A 的高压高速 NPN 功率三极管，集电极-发射极峰值电压可达 1000V，饱和压降低、开关速度快，适用于转换器、逆变器、开关稳压器及电机控制系统等高压开关场合。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220	450	2	40	30	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2.0	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	450	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=450V；I_E=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=0.3A；I_B=30mA	--	0.8	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	1.1	V
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	30	--	--

应用

转换器DC-DC 转换器高压开关管。
逆变器逆变器功率开关。
开关稳压器开关型稳压电源。
电机控制系统高压电机驱动控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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