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BUX48 国产替代High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：15A（连续），峰值 30A
集电极耗散功率（P_C）：175W @ T_C=25℃
结温（T_J）：200℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=10A；5.0V（Max）@ I_C=15A
高耐压、大电流、开关速度快
封装：TO-3 金属壳

BUX48 是一款 400V / 15A / 175W 的高压快速开关 NPN 功率三极管，采用 TO-3 金属壳封装，多外延台面工艺，用于开关电源、单管正激/反激变换器、开关稳压器与电机控制系统等工业应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	Single-N	--	400	7	15	175	1.5 / 5.0	8 min	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	175	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=50mA；I_C=0	7.0	--	V
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=2A	--	1.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=3A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=2A	--	1.6	V
h_FE	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=5V	8.0	--	--

应用

开关电源开关模式电源（SMPS）功率开关管。
变换器单管正激/反激低功率变换器。
开关稳压器高压开关稳压电路。
电机控制工业电机控制系统。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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