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BUV20 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压：V_CEO(SUS)=125V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：160V
大电流能力：集电极电流（I_C）=50A（峰值 60A）
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.2V（Max）@ I_C=50A
集电极耗散功率（P_tot）：250W @ T_case=25℃
工作结温（T_j）：200℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.7℃/W
封装：TO-3（金属壳）

BUV20 是一款硅 NPN 大电流功率三极管，具有 125V/50A 的高电流承载能力与快速开关特性，采用 TO-3 金属壳封装，适用于高速、大电流、大功率的线性与开关工业设备，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	160	125	7	50	1.2	20	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	125	V
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	50	A
I_CM	集电极电流（峰值）	60	A
P_C	集电极耗散功率	250	W
T_J	工作结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	125	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=50mA；I_C=0	7.0	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=100V；I_B=0	--	3.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=2.5A	--	0.6	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=50A；I_B=5A	--	1.2	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=50A；I_B=5A	--	2.0	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=25A；V_CE=2V	20	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=50A；V_CE=4V	10	--	--

应用

高速大电流开关高速、大电流、大功率开关应用。
线性工业设备线性与开关工业设备（Linear and Switching Industrial Equipment）。
开关稳压器开关稳压器（Switching Regulators）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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