Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BUT70W 是一款硅 NPN 高电流功率开关三极管，具有大电流能力、极低饱和压降、高增益与快速开关特性、批次间一致性好、性能稳定可靠，适用于开关稳压（Switching Regulation）、电机控制及高频高效变换器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-247 | Single-N | -- | 125 | 7 | 40 | 0.9 | -- | -- | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 125 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 7 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 40 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | 120 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 8 | A |
| IBM | 基极电流（峰值） | 24 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 200 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.63 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=50mA，IB=0 | 125 | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=70A，IB=7A | -- | 0.9 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=35A，IB=1.75A | -- | 0.9 | V |
| VBE(sat)-1 | 基极-发射极饱和压降 | IC=70A，IB=7A | -- | 1.8 | V |
| VBE(sat)-2 | 基极-发射极饱和压降 | IC=35A，IB=1.75A | -- | 1.4 | V |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=5.0V，IC=0 | -- | 1 | mA |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tstg | 存储时间 | IC=35A，IB1=1.75A，LB=150µH | -- | 1.8 | -- | µs |
| tf | 下降时间 | IC=35A，IB1=1.75A，LB=150µH | -- | 0.2 | -- | µs |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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