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BUT18A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：450V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：1000V
发射极-基极电压（V_EBO）：9V
集电极电流（I_C）：6A（连续）/ 12A（峰值）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=4A
集电极耗散功率（P_C）：110W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：10 ~ 35
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BUT18A 是一款高压、高速、玻璃钝化硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 450V 的集电极-发射极维持电压与 6A 的集电极电流能力，饱和压降低，适用于变换器、开关稳压器、电机控制系统等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	1000	450	9	6	1.5	10	35	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极电压	450	V
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	110	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	450	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=1000V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	10	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.3	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=5V	10	35	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	10	35	--

应用

变换器变换器（Converters）应用。
开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
电机控制系统电机控制系统（Motor control systems）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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