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BUT11AX 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CESM）：1000V；V_CEO：450V
集电极电流（I_C）：5A（峰值 10A）
集电极耗散功率（P_C）：32W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=2.5A，I_B=0.5A
开关速度快：t_on=0.6µs、t_s=3.5µs、t_f=0.6µs
全包封绝缘型 TO-220F，安装免绝缘片
封装：TO-220F

BUT11AX 是一款 450V / 5A 的高压高速 NPN 硅功率三极管，采用全包封 TO-220F 绝缘封装，饱和压降低、开关速度快，适用于变流器、逆变器、开关稳压器与电机控制系统。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CESM (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	R_th(j-c) (℃/W)	Structure
TO-220F	Single-N	1000	450	5	32	1.5	10	3.95	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CESM	集电极-发射极电压（V_BE=0）	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
I_BM	基极电流（峰值）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	32	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.95	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=0.1A；I_B=0	450	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=0.5A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=0.5A	--	1.3	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1000V；V_BE=0	--	1.0	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1000V；V_BE=0；T_j=125℃	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	10	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=5V	10	35	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	10	35	--
t_on	开通时间	I_C=2.5A；I_B1=-I_B2=0.5A	--	0.6	µs
t_s	存储时间	I_C=2.5A；I_B1=-I_B2=0.5A	--	3.5	µs
t_f	下降时间	I_C=2.5A；I_B1=-I_B2=0.5A	--	0.6	µs

应用

变流器 / 逆变器离线式变换与逆变的功率开关级。
开关稳压器高压输入的开关调整管。
电机控制系统中小功率电机的驱动与调速。
电子镇流器荧光灯高频逆变推动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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