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BUT11A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1000V
集电极-发射极电压（V_CEO）：450V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：9V
集电极电流（I_C）：5A（峰值 10A）
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=2.5A
直流电流增益（h_FE）：10 ~ 35
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BUT11A 是一款硅 NPN 高压高速玻璃钝化功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 450V/5A 的电压电流能力与 100W 的集电极耗散功率，开关速度快，适用于变换器、逆变器、开关稳压器与电机控制等高压开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	1000	450	9	5	1.5	10	35	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=100mA；I_B=0	450	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=850V；I_E=0	--	1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	10	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=0.5A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=0.5A	--	2.3	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=5V	10	35	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	10	35	--

应用

变换器反激与正激变换器（Flyback / Forward Converters）。
逆变器逆变器（Inverters）应用。
开关稳压器开关稳压器（Switching Regulators）。
电机控制电机控制系统。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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