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BUP40 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V
发射极-基极电压（V_EBO）：-6V
集电极电流（I_C）：-6A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.4V（Max）@ I_C=-3A，I_B=-0.1A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 500 @ I_C=-1A
高增益、极快开关速度，与 BUP41（NPN）互补配对
封装：TO-126（E-C-B）

BUP40 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-126 塑料封装，具有 -6A 的集电极电流、极低的饱和压降与高电流下的高增益，开关速度快，与 NPN 型的 BUP41 构成互补对管，适用于音频功率放大器输出级与通用功率开关电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	f_T (MHz)	Structure
TO-126	PNP	-60	-50	-6	-6	10	100~500	120	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.1A	--	-0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.1A	--	-1.4	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-1.0	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-1.0	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	100	500	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-2V	40	--	--
f_T	特征频率	I_C=-1A；V_CE=-5V	120	--	MHz
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V	--	25	pF

应用

音频功率放大音频放大器输出级，与 BUP41 互补推挽使用。
通用功率开关通用开关与线性放大电路。
电源与驱动电路中小功率电源、继电器与电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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