BUL1203E 国产替代High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压 V_CBO：1200V，V_CES：1200V
集电极-发射极维持电压 V_CEO(SUS)：550V
集电极电流 I_C：5A 连续，I_CM：8A 峰值
总耗散功率 P_C：100W @ T_C=25℃
开通时间 t_on：0.5μs，下降时间 t_f：0.3μs
宽反偏安全工作区（RBSOA），击穿状态下可承受高集电极电流
封装：TO-220

BUL1203E 是一款 1200V 高压高速开关 NPN 三极管，TO-220 封装，采用扩散集电极平面工艺，开关速度快、h_FE 分布窄、RBSOA 宽，在击穿状态下可承受高集电极电流而无需外加 transil 保护，主要用于荧光灯电子镇流器的半桥与推挽拓扑，为 ST 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO(SUS) (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-220	550	1200	5	100	≤1.5	9	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（I_E=0）	1200	V
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	1200	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	550	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	9	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p<5ms）	8	A
I_B	基极电流	2	A
I_BM	基极电流（峰值，t_p<5ms）	4	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	100	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	550	--	V
V_CE(sat)1	集电极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	0.5	V
V_CE(sat)2	集电极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	0.7	V
V_CE(sat)3	集电极饱和压降	I_C=3A；I_B=1A	--	1.5	V
V_BE(sat)1	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.5	V
V_BE(sat)2	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=1A	--	1.5	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1200V；V_BE=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=550V；I_B=0	--	0.1	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1mA；V_CE=5V	10	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	10	--	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=0.8A；V_CE=3V	14	32	--
h_FE4	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	9	28	--
t_on	开通时间	I_C=2A；I_B1=0.4A；V_CC=150V；阻性负载	--	0.5	μs
t_s	存储时间	同上	--	3.0	μs
t_f	下降时间	同上	--	0.3	μs

应用

荧光灯电子镇流器277V 半桥与 120V 推挽拓扑的电子镇流器（Electronic ballast）。
高压开关电源高压小功率开关电源的功率开关。
逆变器高压直流到交流的逆变功率级。
节能灯驱动紧凑型荧光灯与 LED 驱动的开关级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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