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BUK9508-55A 国产替代N-Channel Trench MOSFET

N-Channel Trench MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道沟槽 MOSFET（TrenchMOS 逻辑电平栅驱动）
漏-源电压（V_DSS）：55V（Min）
栅-源电压（V_GS）：±15V
连续漏极电流（I_D）：75A @ T_C=25℃
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：7.5mΩ（Max）@ V_GS=10V；8mΩ（Max）@ V_GS=5V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1 ~ 2V
总耗散功率（P_tot）：253W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.59℃/W
封装：TO-220

BUK9508-55A 是一款 N 沟道低压逻辑电平功率 MOSFET，采用 TrenchMOS 沟槽工艺，具有极低导通电阻、4.5V 栅驱动能力与快速开关特性，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、焊接设备与通用电阻性负载开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
TO-220	Single-N	55	±15	1~2	75	7.5 (mΩ)	0.59 (℃/W)	253	Trench MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（V_GS=0）	55	V
V_GS	栅-源电压	±15	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	75	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	253	W
T_j	工作结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.59	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=0.25mA	55	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=1mA	1	2	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=55V，V_GS=0V	--	10	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±10V，V_DS=0V	--	±100	nA
R_DS(on)①	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=25A	--	7.5	mΩ
R_DS(on)②	漏-源导通电阻	V_GS=5V，I_D=25A	--	8	mΩ
R_DS(on)③	漏-源导通电阻	V_GS=4.5V，I_D=25A	--	8.5	mΩ
V_SD	体二极管正向导通压降	I_S=25A，V_GS=0V	--	1.2	V

应用

开关电源（SMPS）开关模式电源功率级。
电机控制电机驱动与控制电路。
焊接设备焊接电源功率开关。
通用开关通用电阻性负载开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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