BUK764R4-60E 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_(BR)DSS）：60V（Min）
漏极电流（I_D）：100A @ T_C=25℃
导通电阻：R_DS(on)=4.5mΩ（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率：234W @ T_C=25℃
最高结温 175℃
100% 雪崩测试
批次一致性好
封装：D2PAK（TO-263，1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

BUK764R4-60E 是一款 60V N 沟道 TrenchMOS 功率 MOSFET，漏极电流 100A、导通电阻仅 4.5mΩ，最高结温 175℃、耗散功率 234W，100% 雪崩测试、批次一致性好，适用于 12V 汽车系统、电机与电磁阀控制、DC-DC 变换器与超高性能功率开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
D2PAK	Single-N	60	±20	100	620	234	0.0045	2.4 ~ 4.0	N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	60	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	100	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	620	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	234	W
T_J	最大工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.64	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极开启阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=1.0mA	2.4	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=25A	--	4.5	mΩ
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±1.0	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=60V；V_GS=0	--	1.0	µA
V_SD	正向导通压降	I_S=25A；V_GS=0	--	1.2	V

应用

电机与电磁阀驱动电机、灯具与电磁阀控制（Motors, lamps and solenoid control）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
功率开关超高性能功率开关（Ultra high performance power switching）应用。
12V 汽车系统12V 汽车电子系统应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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