BU508AF 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

ISOWATT218FX 全隔离封装，绝缘耐压（RMS）2500V，符合 UL 认证
集电极-发射极电压（V_CES）：1500V（V_BE=0）
集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：700V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 15A）
总耗散功率（P_TOT）：50W @ T_C=25℃
低驱动要求，饱和压降 V_CE(sat)≤1V @ I_C=4.5A
工作集电极电流下 h_FE 分档集中，批次一致性好
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W

BU508AF 是一款高压硅 NPN 功率三极管，采用 ISOWATT218FX 全隔离封装（绝缘耐压 2500V），具有 1500V/8A 的耐压电流能力与 50W 耗散功率，驱动功率低、饱和压降小、高温 ruggedness 好，适用于 CRT 电视机行输出级与开关电源等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
ISOWATT218FX	Single-N	1500	700	9	8	1.0	5	30	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	700	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	9	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p<5ms）	15	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_TOT	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
V_ins	绝缘耐压（RMS，三引线对外散热器）	2500	V
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1500V；V_BE=0	--	0.2	mA
I_CES	集电极截止电流（T_C=125℃）	V_CE=1500V；V_BE=0	--	2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	1	mA
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA	700	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=1.6A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	1.1	V
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	10	30	--
h_FE	直流电流增益	I_C=4.5A；V_CE=5V	5	--	--
t_s	存储时间（感性负载）	I_C=4.5A；I_B(on)=0.5A；V_BE(off)=-2.7V	--	2.5	µs
t_f	下降时间（感性负载）	同上	--	0.2	µs

应用

CRT 行输出级CRT 电视机行输出级（Horizontal deflection output）应用。
开关电源CRT 电视机开关电源（SMPS for CRT TV）应用。
高压开关高压脉冲与开关（High voltage switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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