Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BU508A 是一款硅 NPN 高压快速开关功率三极管，具有 1500V 高耐压与高耗散功率，适用于大屏幕彩色电视机行偏转输出及开关电源等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCES (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3P | Single-N | 1500 | 700 | 5 | 8 | 1.0 | 6 | 30 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCES | 集电极-发射极电压（VBE=0） | 1500 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 700 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 8 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | 15 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 4 | A |
| IBM | 基极电流（峰值） | 6 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 125 | W |
| Tj | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.0 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=30mA；IB=0 | 700 | -- | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=4.5A；IB=2.0A | -- | -- | 1.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=4.5A；IB=2.0A | -- | -- | 1.3 | V |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=1500V；VBE=0 | -- | -- | 1.0 | mA |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=1500V；VBE=0；TC=125℃ | -- | -- | 2.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=5.0V；IC=0 | -- | -- | 0.1 | mA |
| hFE | 直流电流增益 | IC=0.1A；VCE=5V | 6 | -- | 30 | -- |
| COB | 输出电容 | IE=0；VCB=10V；f=0.1MHz | -- | 125 | -- | pF |
| fT | 特征频率 | IC=0.1A；VCE=5V；f=1.0MHz | -- | 7 | -- | MHz |
脉冲测试：脉宽 ≤300µs，占空比 ≤1.5%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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