当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BU408 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：400V
集电极-发射极电压（V_CEO）：200V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：7A（连续），峰值 10A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=6A
封装：TO-220

BU408 是一款 200V / 7A / 60W 的 NPN 高压开关三极管，采用 TO-220 封装，开关速度快、饱和压降低，适用于电视机与 CRT 显示器的行输出级及高压开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	400	200	6	7	60	1.0	50 ~ 200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CP	集电极电流（峰值，重复）	10	A
I_CP	集电极电流（峰值，10ms）	15	A
I_B	基极电流	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	200	--	V
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	50	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.2	V

应用

行输出级电视机、CRT 显示器的水平偏转输出。
高压开关数百伏母线的快速通断。
开关电源反激与正激变换器主开关。
脉冲放大高压脉冲驱动与调制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号