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BU406 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：200V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：400V
低饱和压降：V_CE(sat) 1.0V（Max）@ I_C=5A
集电极电流（I_C）：7A；峰值 I_CP=10A（10ms 15A）
最大耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：40 ~ 120 @ I_C=2A，V_CE=5V
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.08℃/W
封装：TO-220

BU406 是一款硅 NPN 高压开关功率三极管，具有低饱和压降与优异的安全工作区，专为电视机与 CRT 显示器的行扫描输出级设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	400	200	6	7	1.0	40	120	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CP	集电极电流（重复峰值）	10	A
I_CP	集电极电流（峰值，10ms）	15	A
I_B	基极电流	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA，I_B=0	200	--	V
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V，I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A，V_CE=5V	40	120	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=0.5A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=0.5A	--	1.2	V

应用

行扫描输出级电视机与 CRT 显示器的行扫描（水平偏转）输出级。
高压开关高电压功率开关电路。
驱动与放大驱动电路与功率放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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