BU2508A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极峰值电压（V_CESM）：1500V（V_BE=0）
集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：700V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（峰值 15A）
集电极耗散功率（P_tot）：125W @ T_mb≤25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=4.5A，I_B=1.29A
直流电流增益（h_FE）：6 ~ 26 @ I_C=100mA
对基极驱动与集电极电流波动容忍度高，最坏工况损耗低
结-安装面热阻（R_{th j-mb}）：1.0℃/W
封装：TO-3P（SOT-93）（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BU2508A 是一款硅 NPN 高压高速开关功率三极管，采用 TO-3P（SOT-93）封装，具有 1500V 的集电极-发射极峰值电压、700V 的维持电压、8A 电流能力与 125W 的耗散功率，对基极驱动与集电极电流波动容忍度高、最坏工况损耗低，专为彩色电视机行偏转电路设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P (SOT-93)	Single-N	1500	700	7.5	8	1.0	6	26	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CESM	集电极-发射极峰值电压（V_BE=0）	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	700	V
I_C	集电极电流（DC）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（DC）	4	A
I_BM	基极电流（峰值）	6	A
P_tot	总耗散功率 @ T_mb≤25℃	125	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-mb}	结-安装面热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_B=0；I_C=100mA；L=25mH	700	--	V
I_CES	集电极截止电流	V_BE=0；V_CE=1500V	--	1.0	mA
I_CES	集电极截止电流（高温）	V_BE=0；V_CE=1500V；T_j=125℃	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7.5V；I_C=0	--	1.0	mA
BV_EBO	发射极-基极击穿电压	I_B=1mA	7.5	13.5	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=1.29A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=1.1A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=1.7A	--	1.3	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=5V	6	26	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4.5A；V_CE=1V	4	7.5	--
C_c	集电极电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	80	pF
t_s	关断存储时间	I_CM=4.5A；I_B(end)=1.1A	--	6.0	µs
t_f	关断下降时间	I_CM=4.5A；I_B(end)=1.1A	--	0.6	µs

应用

彩电行偏转输出彩色电视机行偏转电路（Horizontal deflection circuits of colour TV receivers）应用。
高压高速开关高压高速开关电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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