BTA425Y-800CT 国产替代Triac (Three Quadrant)

Triac (Three Quadrant) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

重复峰值关断电压（V_DRM）：800V
重复峰值反向电压（V_RRM）：800V
通态电流（I_T(RMS)）：25A（全正弦波）@ T_C=104℃
浪涌电流（I_TSM）：250A（t_p=20ms，不重复）
三象限（3Q）触发，门极触发电流 I_GT=35mA（Max）
TO-220AB 内部绝缘封装，绝缘电压 2500V_RMS
高换向能力与高 dV/dt、dI/dt 承受能力，无需缓冲电路即可在全额定电流下换向
高结温能力：T_j=150℃；结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.5℃/W

BTA425Y-800CT 是一款 800V/25A 双向可控硅（TRIAC），采用 TO-220AB 内部绝缘封装与三象限（3Q）触发技术，静态与动态 dV/dt、dI/dt 承受能力强，可在最高额定结温下无需缓冲电路换向，适用于加热控制、大功率电机控制与大功率开关等高温、大电流应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_TM (V)	Structure
TO-220AB（绝缘）	TRIAC (3Q)	800	800	25	250	35	1.5	Silicon Triac

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关断电压	800	V
V_RRM	重复峰值反向电压	800	V
I_T(RMS)	通态电流（有效值，全正弦波）@ T_C=104℃	25	A
I_TSM	不重复浪涌峰值通态电流（全正弦波）t_p=20ms	250	A
I_TSM	不重复浪涌峰值通态电流（全正弦波）t_p=16.7ms	275	A
I²t	浪涌电流平方时间积（t=10ms）	312.5	A²S
I_GM	峰值门极电流	2	A
P_G(AV)	门极平均耗散功率 @ T_J=125℃	0.5	W
T_J	工作结温	-40 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_J=25℃	--	5	µA
I_DRM	重复峰值关断电流	V_D=V_DRM；T_J=25℃	--	5	µA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	35	mA
I_H	维持电流	V_D=12V	--	50	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V	--	1.3	V
V_TM	通态电压	I_T=35A；t_p=380µs	--	1.5	V

应用

加热控制电热设备、工业加热装置的相位控制与功率调节（Heating Controls）。
大功率电机控制大功率电机的调速与启停控制（High Power Motor Control）。
大功率开关感性或阻性负载的大功率静态开关（High Power Switching）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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