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BTA225B-800BT 国产替代3Q Hi-Com Triac

3Q Hi-Com Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

高换向能力三象限双向可控硅（BT 系列），无需缓冲电路即可在最高结温下换向额定 RMS 电流
断态重复峰值电压（V_DRM）：800V，可直接用于 380/400V 交流电网
RMS 通态电流（I_T(RMS)）：25A @ T_c=100℃
非重复峰值通态电流（I_TSM）：190A（50Hz）/ 209A（60Hz）
高静态与动态 dV/dt 免疫，适合强噪声环境与感性负载
三象限触发（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ 象限），TO-263（D2PAK）表面贴装封装

平面钝化高换向三象限双向可控硅，适用于加热控制、大功率电机控制与大功率开关等需要高 dV/dt、dI/dt 能力的场合。

参数

核心参数表

Package	Type	V_DRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_TM (V)	T_j (℃)
TO-263 (D2PAK)	三象限 Triac	800	25	190	50	1.55	125

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	800	V
V_RRM	反向重复峰值电压	800	V
I_T(RMS)	RMS 通态电流 T_c=100℃	25	A
I_TSM	非重复峰值通态电流 50Hz	190	A
I_TSM	非重复峰值通态电流 60Hz	209	A
T_j	工作结温范围	-40~125	℃
T_stg	储存温度范围	-40~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.4	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	反向重复峰值电流	V_DRM=V_RRM；T_j=125℃	--	0.5	mA
I_DRM	断态重复峰值电流	V_DRM=V_RRM；T_j=125℃	--	0.5	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ 象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	50	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅱ 象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	50	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅲ 象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	50	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	1.5	V
V_TM	通态电压	I_TM=30A；T_j=25℃	--	1.55	V

应用

加热控制电热器具、工业加热装置的功率调节与通断控制，800V 耐压适配 380V 电网。
大功率电机控制三象限触发与高换向能力，适合风扇、泵类等感性负载的相位控制与调速。
大功率开关静态开关、固态继电器等需要高 dV/dt 免疫与无缓冲换向的场合。
高温工作环境结温上限 125℃，可配合散热设计在较高壳温下长期运行。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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