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BTA212X-800E 国产替代3Q Hi-Com Triac（三象限高压双向可控硅）

3Q Hi-Com Triac（三象限高压双向可控硅）｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：800V
通态方均根电流（I_T(RMS)）：12A（全正弦波，T_C≤56℃）
非重复浪涌通态电流（I_TSM）：95A（T_J=25℃，20ms）/ 105A（16.7ms）
门极触发电流（I_GT）：10mA（Max，灵敏门极）
门极触发电压（V_GT）：1.5V（Max）
维持电流（I_H）：25mA（Max），掣住电流（I_L）：25mA（Max）
TO-220F 绝缘封装，各端子对外部散热板绝缘电压 2500V_RMS
适用于静态继电器、加热调节、感应电机启动、调光与电机调速等场合
封装：TO-220F

BTA212X-800E 是一款 800V / 12A 的三象限高压双向可控硅，采用 TO-220F 绝缘封装（绝缘耐压 2500V_RMS），灵敏门极，可用于通用交流开关的通断功能（静态继电器、加热调节、感应电机启动）或调光、电机调速等相位控制应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	T_J (℃)
TO-220F	3Q Hi-Com	800	800	12	95	10	1.5	25	125

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	800	V
V_RRM	重复峰值反向电压	800	V
I_T(RMS)	通态方均根电流（全正弦波，T_C≤56℃）	12	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（20ms / 16.7ms，T_J=25℃）	95 / 105	A
I²t	熔断 I²t 值（t_p=10ms）	45	A²s
P_G	门极峰值功率	5	W
P_G(AV)	门极平均耗散功率	0.5	W
T_J	工作结温	125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃
V_isol	绝缘电压（各端子-外部散热板）	2500	V_RMS

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_J=125℃	--	0.5	mA
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM；T_J=125℃	--	0.5	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	10	mA
I_H	维持电流	V_D=12V；I_GT=0.1A	--	25	mA
I_L	掣住电流	V_D=12V；I_GT=0.1A	--	25	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V；I_T=0.1A	--	1.5	V
V_TM	通态峰值电压	I_T=17A	--	1.6	V

应用

静态继电器交流固态继电器的通断开关。
加热调节电加热负载的功率调节。
感应电机启动单相感应电机的启动电路。
相位控制调光器、电机调速等相位控制应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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