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BTA208X-1000C0 国产替代3Q Hi-Com Triac（三象限高压双向可控硅）

3Q Hi-Com Triac（三象限高压双向可控硅）｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：1000V
通态方均根电流（I_T(RMS)）：8A（全正弦波，T_j=70℃）
非重复浪涌通态电流（I_TSM）：65A（t_p=20ms）
门极触发电流（I_GT）：5 ~ 35mA（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ象限）
门极触发电压（V_GT）：1.0V（Max，全象限）
维持电流（I_H）：50mA（Max）
TO-220F 绝缘封装，适用于高阻断电压的电机控制电路
批次间一致性最小化，器件性能鲁棒、运行可靠
封装：TO-220F

BTA208X-1000C0 是一款 1000V / 8A 的三象限高压双向可控硅，采用 TO-220F 绝缘封装，适用于需要很高阻断电压的电机控制电路，具备高换向能力与良好的 dV/dt 抗扰度。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	T_J (℃)
TO-220F	3Q Hi-Com	1000	1000	8	65	35	1.0	50	125

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	1000	V
V_RRM	重复峰值反向电压	1000	V
I_T(RMS)	通态方均根电流（全正弦波，T_j=70℃）	8	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（t_p=20ms）	65	A
T_j	工作结温	125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	4.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_j=25℃	--	0.5	mA
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM；T_j=25℃	--	0.5	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	5	35	mA
I_H	维持电流	I_GT=0.5A；门极开路	--	50	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	1.0	V
V_TM	通态峰值电压	I_T=10A；t_p=380µs	--	1.65	V

应用

电机控制需要很高阻断电压的电机控制电路。
交流开关高电压等级交流负载开关。
相位控制高电压相位控制与功率调节。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

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