BT152-400R 国产替代Silicon Controlled Rectifier

Silicon Controlled Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）：450V
通态平均电流（I_T(AV)）：13A
通态均方根电流（I_T(RMS)）：20A
非重复浪涌电流（I_TSM）：200A（t_p=10ms）
通态压降：V_TM=1.75V（Max）@ I_TM=40A
栅极触发电流（I_GT）：32mA（Max）
平面钝化工艺，电压耐受与可靠性高
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.1℃/W
封装：TO-220AB（1 阴极 / 2 阳极 / 3 栅极）

BT152-400R 是一款平面钝化工艺单向可控硅，采用 TO-220AB 封装，具有 450V 的断态重复峰值电压、13A 通态平均电流与 200A 的浪涌能力，浪涌承受与热循环性能好，适用于过压撬棒保护、电动工具与厨房电器电机控制、浪涌限流、电容放电点火及稳压电路等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(AV) (A)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_TM (V)	T_j (℃)	Structure
TO-220AB	450	13	20	200	32	1.75	125	Silicon SCR

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	450	V
V_RRM	反向重复峰值电压	450	V
I_T(AV)	通态平均电流	13	A
I_T(RMS)	通态均方根电流	20	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（T_P=10ms）	200	A
P_G(AV)	平均栅极耗散功率（任意 20ms 周期）	0.5	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	反向重复峰值电流	V_RM=V_RRM；T_j=125℃	--	1	mA
I_DRM	断态重复峰值电流	V_DM=V_DRM；T_j=125℃	--	1	mA
V_TM	通态峰值电压	I_TM=40A	--	1.75	V
I_GT	栅极触发电流	V_D=12V；I_T=0.1A	--	32	mA
V_GT	栅极触发电压	V_D=12V；I_T=0.1A	--	1.5	V

应用

过压撬棒保护过压撬棒保护（Overvoltage crowbar protection）应用。
电机控制电动工具与厨房电器电机控制电路应用。
浪涌限流开机浪涌电流限制（In-rush current limiting）应用。
电容放电点火电容放电点火（Capacitive discharge ignition）应用。
稳压电路电压调整（Voltage regulation）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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