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BT151-500R 国产替代Thyristor (SCR)

Thyristor (SCR) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：500V
平均通态电流（I_T(AV)）：7.5A；通态方均根电流（I_T(RMS)）：12A
浪涌（非重复）通态电流（I_TSM）：100A（tp=10ms）
通态压降（V_TM）：1.75V（Max）@ I_TM=23A
栅极触发电流（I_GT）≤15mA；栅极触发电压（V_GT）≤1.5V
玻璃钝化芯片，高浪涌能力与高热循环性能
封装：TO-220AB

BT151-500R 是玻璃钝化单向可控硅（SCR），具有 500V 双向阻断能力、7.5A 平均通态电流与 100A 浪涌电流能力，适用于过压保护、电机控制、浪涌电流限制、电容放电点火与电压调节等电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM,V_RRM	I_T(AV)	I_T(RMS)	I_TSM	I_GT (Max)	V_GT (Max)	V_TM	T_j
TO-220AB	500 V	7.5 A	12 A	100 A (tp=10ms)	≤15 mA	≤1.5 V	1.75 V @I_TM=23A	-40~125 ℃

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	500	V
V_RRM	重复峰值反向电压	500	V
I_T(AV)	平均通态电流	7.5	A
I_T(RMS)	通态方均根电流	12	A
I_TSM	浪涌（非重复）通态电流（tp=10ms）	100	A
P_G(AV)	平均栅极耗散功率	0.5	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.3	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向/关态电流	V_RM=V_RRM；R_GK=220Ω；T_j=25℃	--	5	µA
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向/关态电流	V_RM=V_RRM；R_GK=220Ω；T_j=125℃	--	2	mA
V_TM	通态压降	I_TM=23A	--	1.75	V
I_GT	栅极触发电流	V_D=12V；I_T=0.1A	--	15	mA
V_GT	栅极触发电压	V_D=12V；I_T=0.1A	--	1.5	V

应用

过压保护过压箝位保护（Overvoltage Crowbar Protection）电路。
电机控制电动工具等电机控制（Motor Control）电路。
浪涌电流限制浪涌电流限制（In-rush Current Limiting）电路。
点火与调压电容放电点火、电压调节（Voltage Regulation）电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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