当前位置：首页 / 产品 / 可控硅单管

BT137-600G 国产替代4Q Triac（四象限双向可控硅）

4Q Triac（四象限双向可控硅）｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态电压（V_DRM）：600V
通态方均根电流（I_T(RMS)）：8A（全正弦波，T_mb≤102℃）
非重复浪涌通态电流（I_TSM）：65A（t_p=20ms）
门极触发电流（I_GT）：最大 100mA（四象限中最不灵敏象限）
门极触发电压（V_GT）：1.5V（Max）
维持电流（I_H）：40mA（Max）
平面钝化工艺，四象限触发，最不灵敏门极带来最高噪声抗扰度
高阻断电压能力，耐电压浪涌鲁棒性好
封装：TO-220AB（SOT78）

BT137-600G 是 WeEn（原 NXP）平面钝化四象限双向可控硅，600V / 8A，TO-220AB 封装，用于通用双向开关与相位控制应用，如电机控制、通用开关等。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	T_J (℃)
TO-220AB	4Q Triac	600	600	8	65	100	1.5	40	125

绝对最大额定值（T_j(init)=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	600	V
I_T(RMS)	通态方均根电流（全正弦波，T_mb≤102℃）	8	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（t_p=20ms / 16.7ms）	65 / 71	A
I²t	熔断 I²t 值（t_p=10ms）	21	A²s
dI_T/dt	通态电流临界上升率	50	A/µs
I_GM	门极峰值电流	2	A
P_GM	门极峰值功率	5	W
P_G(AV)	门极平均耗散功率	0.5	W
T_j	结温	125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-mb)	结-安装基板热阻（全周期）	2	K/W
R_th(j-mb)	结-安装基板热阻（半周期）	2.4	K/W
R_th(j-a)	结-环境热阻（自由空气）	60	K/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_GT	门极触发电流（T2+ G+）	V_D=12V；I_T=0.1A	5	50	mA
I_GT	门极触发电流（T2+ G−）	V_D=12V；I_T=0.1A	8	50	mA
I_GT	门极触发电流（T2− G−）	V_D=12V；I_T=0.1A	11	50	mA
I_GT	门极触发电流（T2− G+）	V_D=12V；I_T=0.1A	30	100	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=12V；I_T=0.1A	--	1.5	V
I_H	维持电流	V_D=12V	--	40	mA
V_TM	通态峰值电压	I_T=8A	--	1.65	V

应用

通用电机控制交流电机调速与启停控制。
通用开关交流负载的静态开关。
相位控制调光、调温等相位控制应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号