BFU550 国产替代NPN Wideband Silicon RF Transistor

NPN Wideband Silicon RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极-发射极电压（V_CEO）：10V
集电极电流（I_C）：120mA
特征频率（f_T）：9GHz（Typ）
低噪声、高耐压射频晶体管
直流电流增益（h_FE）：90 ~ 250 @ I_C=15mA
双发射极 4 引脚微小封装，适合高密度射频板
封装：SOT-143B（1 集电极 / 2、4 发射极 / 3 基极）

BFU550 是一款硅 NPN 宽带射频晶体管，采用 SOT-143B 四引脚双发射极微小封装，具有 20V 集电极-基极电压、10V 集电极-发射极电压与 120mA 集电极电流能力，特征频率达 9GHz，噪声低、增益高，适用于 ISM 频段低噪声放大器、最高 2GHz 的宽带放大器与射频振荡器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-143B	Single-N (Dual Emitter)	20	10	2.5	0.12	--	90	250	Silicon NPN RF

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	10	V
V_EBO	发射极-基极电压	2.5	V
I_C	集电极电流（连续）	120	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	0.2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1µA；I_E=0	20	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=10V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=1V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=15mA；V_CE=5V	90	250	--
C_ob	输出电容	V_CB=8V；I_E=0；f=1MHz	--	1	pF
f_T	特征频率	V_CE=8V；I_C=40mA；f=1GHz	--	9	GHz

应用

ISM 频段 LNA433MHz / 866MHz / 2.4GHz ISM 频段低噪声放大器应用。
宽带放大最高 2GHz 的宽带射频放大级应用。
射频振荡ISM 频段振荡器与信号源应用。
高耐压射频前端需要较高供电电压与击穿电压的射频前端应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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