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BFS520 国产替代NPN 9GHz Wideband Transistor

NPN 9GHz Wideband Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极电流（I_C）：70mA
特征频率 f_T：9GHz（典型）@ I_C=20mA
最大单边功率增益 G_UM：15dB @ 900MHz
噪声系数 NF：1.1dB（典型）@ 900MHz
高功率增益、低噪声，金金属化工艺保证可靠性
SOT-323（SC-70）超小型贴片封装

用于卫星电视调谐器、无绳电话、寻呼机等宽带射频前端，工作频率可达 2GHz。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CES (V)	I_C (mA)	P_tot (mW)	f_T (GHz)	NF (dB)
SOT-323	NPN	20	15	70	300	9	1.1

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CES	集电极-发射极电压（R_BE=0）	15	V
V_EBO	发射极-基极电压	2.5	V
I_C	集电极电流（直流）	70	mA
P_tot	总耗散功率（T_s≤118℃）	300	mW
T_j	结温	175	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-s}	结到焊点热阻	190	K/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=6V; I_E=0	--	50	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=20mA; V_CE=6V	60	250	--
C_e	发射极电容	I_C=0; V_EB=0.5V; f=1MHz	--	1	pF
C_c	集电极电容	I_E=0; V_CB=6V; f=1MHz	--	0.5	pF
C_re	反馈电容	I_C=0; V_CB=6V; f=1MHz	--	0.4	pF

开关特性（典型值）

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	特征频率	I_C=20mA; V_CE=6V; f=1GHz	9	GHz
G_UM	最大单边功率增益	I_C=20mA; V_CE=6V; f=900MHz	15	dB
NF	噪声系数	I_C=5mA; V_CE=6V; f=900MHz	1.1	dB

应用

卫星电视调谐器LNB 与调谐器前端低噪声放大。
无绳电话与手机射频前端小信号放大级。
寻呼机与无线遥控UHF 频段接收放大与振荡。
宽带放大器CATV 与射频模块的宽带低噪声放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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