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BFR540 国产替代NPN Wideband RF Transistor

NPN Wideband RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压 V_CBO：20V；V_CES：15V
集电极电流 I_C：120mA
总耗散功率 P_tot：500mW（T_sp≤70℃）
直流电流增益 h_FE：100 ~ 250 @ I_C=40mA，V_CE=8V
特征频率 f_T：9GHz（Typ.）
高功率增益、低噪声系数、反馈电容小（C_re=0.6pF）
封装：SOT-23（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

BFR540 是一款 NPN 硅平面外延射频三极管，特征频率达 9GHz、功率增益高、噪声低，适用于 GHz 频段射频前端、无绳电话、雷达探测器、卫星电视调谐器与 CATV 放大等场合，为恩智浦（NXP）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CES (V)	V_CBO (V)	I_C (mA)	P_tot (mW)	h_FE	f_T (GHz)
SOT-23	15	20	120	500	100 ~ 250	9

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	20	V
V_CES	集电极-发射极电压（R_BE=0Ω）	15	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	2.5	V
I_C	集电极电流（直流）	120	mA
P_tot	总耗散功率（T_sp≤70℃）	500	mW
T_j	结温	175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-sp)	结到焊点热阻	260	K/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=8V；I_E=0	--	50	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=40mA；V_CE=8V	100	250	--
C_re	反馈电容	I_C=0；V_CB=8V；f=1MHz	--	0.6	pF
f_T	特征频率	I_C=40mA；V_CE=8V；f=1GHz	--	9	GHz

应用

射频前端GHz 频段宽带射频前端放大。
移动/无绳电话模拟与数字蜂窝电话、CT1/CT2/DECT 无绳电话。
接收前端雷达探测器、卫星电视调谐器（SATV）。
CATV/光纤MATV/CATV 放大与光纤系统中继放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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