BFG67 国产替代NPN Wideband RF Transistor

NPN Wideband RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极-发射极电压（V_CEO）：10V
集电极电流（I_C）：50mA
高特征频率（f_T）：9GHz（Typ）
低反馈电容（C_re）：1pF（Max）
低噪声、高功率增益
集电极耗散功率（P_tot）：380mW
封装：SOT-143B 四脚双发射极（1 集电极 / 2 基极 / 3、4 发射极）

BFG67 是一款硅 NPN 宽带高频三极管，采用 SOT-143B 四脚双发射极小封装，具有 20V/50mA 的电压电流能力、9GHz 的特征频率与 1pF 的低反馈电容，噪声低、功率增益高，适用于卫星电视调谐器与便携式射频通信设备等 GHz 频段宽带放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (mA)	P_tot (mW)	h_FE Min	f_T (GHz)	Structure
SOT-143B	Single-N	20	10	2.5	50	380	60	9	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	10	V
V_EBO	发射极-基极电压	2.5	V
I_C	集电极电流	50	mA
P_tot	总耗散功率	380	mW
T_j	结温	175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1µA；I_E=0	20	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=5V；I_E=0	--	50	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=15mA；V_CE=5V	60	--	--
C_re	反馈电容	V_CB=8V；I_E=0；f=1MHz	--	1	pF
f_T	特征频率	V_CE=8V；I_C=15mA；f=1GHz	--	9	GHz

应用

卫星电视调谐器卫星电视调谐器（Satellite TV tuners）应用。
便携射频通信便携式射频通信设备（Portable RF communications equipment）应用。
GHz 宽带放大GHz 频段宽带放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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