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BFG540 国产替代NPN 9GHz Wideband Transistor

NPN 9GHz Wideband Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

特征频率 f_T 典型 9GHz，适合 GHz 频段宽带放大
低噪声：NF 典型 1.3dB @ 900MHz，I_C=10mA
高增益：|S₂₁|² 典型 16dB @ 900MHz
集电极电流 I_C 120mA，耗散功率 0.5W
反馈电容 C_re 典型 0.5pF
SOT-143B 四脚贴片封装，批次一致性好

NPN 硅平面外延射频晶体管，采用金金属化工艺保证可靠性，用于 GHz 频段低噪声、高增益宽带放大。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (mA)	P_tot (mW)	h_FE	f_T (GHz)
SOT-143B	NPN	20	15	120	500	60~250	9

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	15	V
V_EBO	发射极-基极电压	2.5	V
I_C	集电极电流（连续）	120	mA
P_C	总耗散功率 T_C=25℃	0.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA; I_B=0	12	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=8V; I_E=0	--	0.05	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=40mA; V_CE=8V	60	250	--
C_re	反馈电容	I_E=0; V_CB=8V; f=1MHz	--	0.5	pF
C_e	发射极电容	I_C=0; V_EB=0.5V; f=1MHz	--	2.0	pF
C_C	集电极电容	I_E=0; V_CB=8V; f=1MHz	--	0.9	pF

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	特征频率	I_C=40mA; V_CE=8V; f=1GHz	9	GHz
\|S₂₁\|²	插入功率增益	I_C=40mA; V_CE=8V; f=900MHz	16	dB
NF	噪声系数	I_C=10mA; V_CE=8V; f=900MHz	1.3	dB
NF	噪声系数	I_C=40mA; V_CE=8V; f=900MHz	1.9	dB
NF	噪声系数	I_C=10mA; V_CE=8V; f=2GHz	2.1	dB

应用

移动通信射频前端GSM/CDMA 手机与基站的低噪声放大级（LNA）。
无绳电话与 DECT2.4GHz/1.9GHz 频段的收发前端放大。
卫星电视调谐器SATV 高频头与 MATV/CATV 分配放大。
光纤中继与雷达探测宽带中继放大与雷达探测前端。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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