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BDW93C 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BDW93C 是一款硅 NPN 外延基区单片达林顿功率三极管,具有 100V/12A 的电压电流能力、hFE≥1000 的极高电流增益与 80W 的耗散功率,内置反并联续流二极管,与 PNP 型 BDW94C 互补配对,适用于 AC-DC 电机控制、电子点火与交流发电机调节器等线性与开关应用,为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)VCE(sat) (V)hFE MinhFE MaxStructure
TO-220Single-N (Darlington)1001005122.0100020000Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值(Ta=25℃)

符号参数数值单位
VCBO集电极-基极电压100V
VCEO集电极-发射极电压100V
VEBO发射极-基极电压5V
IC集电极电流(连续)12A
ICM集电极电流(峰值)15A
IB基极电流(连续)0.2A
Ptot总耗散功率 @ Tc≤25℃80W
Tj最高工作结温150℃
Tstg存储温度-65 ~ 150℃

热特性

符号参数最大值单位
Rth j-c结-壳热阻1.56℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
VCEO(sus)集电极-发射极维持电压IC=30mA;IB=0100--V
ICBO集电极截止电流VCB=100V;IE=0--100µA
ICEO集电极截止电流VCE=100V;IB=0--1mA
IEBO发射极截止电流VEB=5V;IC=0--2mA
hFE-1直流电流增益IC=3A;VCE=3V100020000--
hFE-2直流电流增益IC=5A;VCE=3V75020000--
hFE-3直流电流增益IC=10A;VCE=3V10020000--
VCE(sat)-1集电极-发射极饱和压降IC=5A;IB=20mA--2.0V
VCE(sat)-2集电极-发射极饱和压降IC=10A;IB=100mA--3.0V
VBE(sat)-1基极-发射极饱和压降IC=5A;IB=20mA--2.5V
VBE(sat)-2基极-发射极饱和压降IC=10A;IB=100mA--4.0V

应用

  1. AC-DC 电机控制AC-DC 电机控制(AC-DC motor control)应用。
  2. 电子点火电子点火(Electronic ignition)应用。
  3. 交流发电机调节器交流发电机调节器(Alternator regulator)应用。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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