BDW83Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：45V
集电极电流（I_C）：15A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：750~20000 @ I_C=6A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=6A
内置基极-发射极分流电阻，驱动功率小
与 BDW84（PNP）互补配对
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BDW83 是一款硅 NPN 外延基区达林顿功率三极管，采用 TO-3PN（TO-247）封装，内部集成基极-发射极分流电阻，具有 45V/15A 的电压电流能力、150W 的耗散功率与 h_FE≥750 的高电流增益，与 PNP 型 BDW84 互补配对，适用于线性放大与开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	45	45	5	15	2.5	750	20000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=45V；I_E=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=3V	750	20000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=3V	100	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=12mA	--	2.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=150mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=6A；V_CE=3V	--	2.5	V

应用

线性放大线性放大与功率放大（Power linear）应用。
开关应用开关（Switching）应用。
工业控制线性与开关工业设备（Linear and switching industrial equipment）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号