当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BDV64C 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=-120V（Min）
集电极电流：I_C=-12A（连续）/ -20A（峰值）
集电极耗散功率：P_C=125W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE≥1000 @ I_C=-5A
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A
内置反向并联集电极-发射极二极管
与 BDV65C（NPN）互补配对
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BDV64C 是一款 -120V / -12A 硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3PN 封装，内置基极-发射极分流电阻与反向并联二极管，电流增益高、驱动电流小，适用于音频输出级、通用放大器与模拟开关场合，与 BDV65C（NPN）互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-3PN	-120	-120	-12	125	-2.0	1000	150	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-120	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0	--	-2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-0.4	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-70V；I_E=0；T_J=150℃	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	1000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-20mA	--	-2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-5A；V_CE=-4V	--	-2.5	V

应用

音频输出级音频放大器输出级（audio output stages）。
通用放大通用放大器（general amplifiers）。
模拟开关模拟开关与低速大电流开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号