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BD906 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-45V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-45V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-15A（连续），峰值 -20A
基极电流（I_B）：-5A（连续）
总耗散功率（P_tot）：90W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.0V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：40（Min）@ I_C=-0.5A
特征频率（f_T）：3MHz（Min）
与 BD905（NPN）互补配对，通用功率放大与开关应用
封装：TO-220

BD906 是一款 -45V / -15A / 90W 的硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，用于通用功率放大与开关应用，与 BD905（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-P	-45	-45	-5	-15	90	-3.0	40 min	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-45	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	90	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.38	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-50mA；I_B=0	-45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-1.0	mA
I_ICBO	集电极截止电流	V_CB=额定值；I_E=0	--	-0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-1.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-2.5A	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-2.5A	--	-2.5	V
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.5A	40	--	--
f_T	特征频率	I_C=-500mA	3.0	--	MHz

应用

通用功率放大通用功率放大器的输出级与驱动级。
开关电路功率开关与直流变换应用。
互补输出与 BD905（NPN）组成互补推挽输出。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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