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BD905 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压 V_CEO(sus)：45V（Min）
集电极电流 I_C：15A
总耗散功率 P_tot：90W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：15 ~ 150 @ I_C=5A
饱和压降 V_CE(sat)：1.0V（Max）@ I_C=5A
热阻 R_th(j-c)=1.38℃/W
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BD905 是一款 45V/15A 的 NPN 功率三极管，电流能力与耗散功率大、饱和压降低，与 PNP 型 BD906 互补配对，适用于音频功率放大与线性/开关电源等场合，为意法半导体（ST）同系列产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_tot (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_j (℃)
TO-220	45	15	90	15 ~ 150	≤1.0	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_CBO	集电极-基极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	5.0	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	90	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.38	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=45V；I_E=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	15	150	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=10A；I_B=2.5A	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=10A；I_B=2.5A	--	2.5	V
f_T	特征频率	I_C=500mA	3.0	--	MHz

应用

音频功率放大音响功放输出级（Power linear applications）。
线性电源串联稳压与线性调整电路。
功率开关中功率开关与驱动电路，与 BD906（PNP）互补配对。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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