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BD711 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：12A（峰值 18A）
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=4A，I_B=0.4A
总耗散功率（P_tot）：75W @ T_C≤25℃
直流电流增益（h_FE）：40（Min）@ I_C=0.5A；5（Min）@ I_C=10A
外延基极（Epitaxial-Base）工艺
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.67℃/W
与 BD712（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD711 是硅外延基极 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 100V/12A 的电压电流能力与 75W 的耗散功率，饱和压降低，与 PNP 型 BD712 互补配对，适用于工业设备的线性放大与开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	100	100	5	12	1.0	5	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	18	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C≤25℃	75	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-case}	结-壳热阻	1.67	℃/W
R_{th j-amb}	结-环境热阻	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	100	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；T_case=150℃	--	1.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	--	1.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=4A；V_CE=4V	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=2V	40	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	30	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=4V	15	--	--
h_FE-4	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	5	--	--
f_T	过渡频率	I_C=300mA；V_CE=3V	3	--	MHz

应用

线性放大工业设备线性放大（Linear applications）应用。
开关应用工业设备开关（Switching applications）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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