BD681 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：100V（Min）
集电极电流（I_C）：4A，脉冲 6A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE≥750 @ I_C=1.5A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=1.5A
单片达林顿结构，内置反并联集电极-发射极二极管
与 BD682（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

BD681 是一款硅 NPN 外延平面达林顿功率三极管，具有 100V/4A 的电压电流能力与 40W 耗散功率，采用单片达林顿结构并内置反并联集电极-发射极二极管，750 倍以上的直流电流增益使其可用极小基极电流驱动较大负载，与 PNP 型 BD682 互补配对，适用于音频功放、线性稳压、开关电源与电机控制等中等功率线性与开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N (Darlington)	100	100	5	4	2.5	750	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	6	A
I_B	基极电流	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.2	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=100V；I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE	直流电流增益	V_CE=3V；I_C=1.5A	750	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=30mA	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=3V；I_C=1.5A	--	2.5	V

应用

音频功率放大音频功率放大器（Audio power amplifier）应用。
线性稳压线性稳压电源（Linear voltage regulator）应用。
开关电源开关电源（Switching power supply）应用。
电机与继电器驱动电机控制、继电器与电磁阀驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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