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BD680 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-80V（Min）
高直流电流增益：h_FE=750（Min）@ I_C=-1.5A，V_CE=-3V
达林顿结构
集电极电流（I_C）：-4A；基极电流（I_B）：-0.1A
总耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-1.5A
与 BD679 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.13℃/W
封装：TO-126

BD680 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，具有高直流电流增益与单片达林顿结构，适用于互补通用放大器输出级等中功率线性与开关应用，与 BD679 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P (Darlington)	-80	-80	-5	-4	-2.5	750	--	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-4	A
I_B	基极电流（连续）	-0.1	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.13	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA，I_B=0	-80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1.5A，I_B=-30mA	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1.5A，V_CE=-3V	--	-2.5	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-80V，I_B=0	--	-0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V，I_E=0	--	-0.2	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V，I_E=0，T_C=100℃	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1.5A，V_CE=-3V	750	--	--

应用

通用放大输出互补通用放大器（General Purpose Amplifier）输出级。
中功率线性与开关中功率线性放大与开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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