Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BD677 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 60V/4A 的电压电流能力与 750 倍以上的直流电流增益，驱动电流需求极低，与 PNP 型 BD678 互补配对，适用于互补通用放大器的输出级驱动场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-126 | Single-N (Darlington) | 60 | 60 | 5 | 4 | 2.5 | 750 | -- | Silicon NPN Darlington |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 60 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 60 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 4 | A |
| IB | 基极电流 | 0.1 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 40 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 3.13 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=50mA；IB=0 | 60 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=1.5A；IB=30mA | -- | 2.5 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=1.5A；VCE=3V | -- | 2.5 | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=60V；IB=0 | -- | 0.5 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=60V；IE=0 | -- | 0.2 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=60V；IE=0；TC=100℃ | -- | 2.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=5V；IC=0 | -- | 2.0 | mA |
| hFE | 直流电流增益 | IC=1.5A；VCE=3V | 750 | -- | -- |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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