Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BD652 是一款硅 PNP 单片达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 -120V/-8A 的电压电流能力、hFE≥750 的极高电流增益与 62.5W 的耗散功率，内置分流电阻、饱和压降低，适用于音频输出级、音频功放与模拟开关等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-P (Darlington) | 120 | 120 | 5 | 8 | 2.5 | 750 | -- | Silicon PNP Darlington |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -120 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -120 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -8 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | -12 | A |
| PC | 总耗散功率 @ Tc=25℃ | 62.5 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 2.0 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-10mA；IB=0 | -120 | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-4A；IB=-16mA | -- | -2.0 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-3A；IB=-12mA | -- | -2.0 | V |
| VCE(sat)-3 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-5A；IB=-50mA | -- | -2.5 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-5A；IB=-50mA | -- | -3.0 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=-3A；VCE=-3V | -- | -2.5 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-120V；IE=0 | -- | -0.1 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-60V；IB=0 | -- | -1.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V；IC=0 | -- | -5.0 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-3A；VCE=-3V | 750 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-0.5A；VCE=-3V | 2700 | -- | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=-8A；VCE=-3V | 200 | -- | -- |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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