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BD651 国产替代NPN Silicon Power Darlington

NPN Silicon Power Darlington ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：120V，V_CBO 140V
集电极电流（I_C）：8A，峰值 12A
高直流电流增益：h_FE ≥ 750 @ V_CE=3V，I_C=3A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 2.5V @ I_C=5A，I_B=50mA
TO-220 封装，25℃ 壳温下耗散 62.5W
与 BD652（PNP）互补，适合推挽输出

NPN 硅功率达林顿晶体管，内置基极-发射极分流电阻与续流二极管，适合驱动继电器、电磁阀与电机等感性负载。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN 达林顿	120	140	8	62.5	≥750	2.5

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	140	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
I_B	基极电流（连续）	0.3	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	62.5	W
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	2	W
T_j	结温范围	-65~150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_θJC	结到壳热阻	2.0	℃/W
R_θJA	结到环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA; I_B=0	120	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=60V; I_B=0	--	0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V; I_E=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V; I_C=0	--	5	mA
h_FE	直流电流增益	V_CE=3V; I_C=3A	750	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=3A; I_B=12mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=50mA	--	2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=50mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=3V; I_C=3A	--	2.5	V

应用

继电器与电磁阀驱动高 h_FE 使单片机 I/O 可直接驱动，内置续流二极管抑制感性反峰。
直流电机驱动8A 连续电流能力，适合中小功率直流电机与步进电机绕组驱动。
音频功放输出级与 BD652 组成互补推挽输出，用于中功率音频放大。
线性稳压与电源调整作串联调整管使用，TO-220 封装便于加装散热片。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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