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BD649 国产替代NPN Silicon Power Darlington

NPN Silicon Power Darlington ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极电流（I_C）：8A（脉冲 12A）
集电极耗散功率（P_C）：62.5W @ T_C=25℃
极高直流电流增益：h_FE≥750 @ I_C=3A
与 BD650 互补
TO-220 封装

NPN 硅功率达林顿管，用于音频功放输出级与模拟开关。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN	100	120	8	62.5	≥750	2.0/2.5

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
I_B	基极电流	0.3	A
P_C	总耗散功率 T_C=25℃	62.5	W
P_C	总耗散功率 T_a=25℃	2.0	W
T_j	工作结温	-65~150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	2.0	℃/W
R_thj-a	结到环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA; I_B=0	100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V; I_E=0	--	0.2	mA
I_CBO	集电极截止电流（高温）	V_CB=60V; I_E=0; T_C=150℃	--	2.0	mA
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=50V; I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V; I_C=0	--	5	mA
h_FE	直流电流增益	V_CE=3V; I_C=3A	750	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=3A; I_B=12mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=50mA	--	2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=50mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=3V; I_C=3A	--	2.5	V

应用

音频功放输出级与 BD650 组成互补推挽输出，适合大功率音频设备。
通用放大器高增益放大级，减少前级驱动电流需求。
模拟开关电路继电器替代、负载通断控制。
电机与电磁阀驱动大电流感性负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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