BD648 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

TO-220C 封装，2 脚（集电极）与安装基面相连
集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-80V
集电极电流（I_C）：-8A（峰值 -12A）
集电极耗散功率（P_C）：62.5W @ T_C=25℃
极高直流电流增益（h_FE）：≥750 @ I_C=-3A
饱和压降 V_CE(sat)≤-2.5V @ I_C=-5A
与 BD645 / BD647 / BD649 / BD651（NPN）互补配对

BD648 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管（系列件 BD646 / 648 / 650 / 652 中的一档），采用 TO-220C 封装，具有 -80V/-8A 的电压电流能力、62.5W 耗散功率与 ≥750 的极高直流电流增益，适用于音频输出级、通用放大器与模拟开关等应用，与 BD645 系列 NPN 达林顿构成互补对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	-80	-80	-5	-8	-2.5	750	2700	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-12	A
P_C	集电极耗散功率（T_C≤25℃）	62.5	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-12mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-50mA	--	-2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-50mA	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通压降	I_C=-3A；V_CE=-3V	--	-2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0A	--	-0.1	mA
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-40V；I_B=0A	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-5.0	mA
h_FE	直流电流增益（典型值）	I_C=-0.5A；V_CE=-3V	2700	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-3V	750	--	--
h_FE	直流电流增益（典型值）	I_C=-8A；V_CE=-3V	200	--	--

应用

音频输出级音频输出级（Audio output stages）应用。
音频功率放大器音频功率放大器（Audio power amps）应用。
模拟开关模拟开关（Analog switches）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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